발열과 전력소비 문제로 엔비디아 납품테스트를 통과하지 못한 것으로 알려졌던 삼성전자의 고대역폭 메모리(HBM)이 엔비디아 제품에 탑재될 가능성이 높아진 것으로 알려지면서 추락했던 삼성전자 주식은 5일 반등하기 시작했다.
4일 업계와 블룸버그통신에 따르면, 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 대만 타이베이 그랜드하이라이호텔에서 열린 기자간담회에서 "삼성전자 HBM이 인증절차를 밟고 있다"고 밝혀, 삼성 HBM이 테스트를 통과하지 못했다는 로이터통신의 보도를 직접 부인했다.
젠슨 황 CEO는 "삼성전자는 아직 어떤 인증 테스트에도 실패한 적이 없지만, 삼성 HBM 제품은 더 많은 엔지니어링 작업이 필요하다"고 말했다.
특히 황 CEO는 삼성전자 HBM이 엔비디아의 품질 테스트를 통과하지 못했다는 보도에 대해 "아니다"라고 단호하게 반박하며 "(테스트가) 아직 끝나지 않았을 뿐이며, 인내심을 가져야 한다"고 설명했다.
또 그는 "SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론과 협력하고 있으며 3사 모두 우리에게 메모리를 공급할 것"이라며 "엔비디아는 그들이 자격을 갖추고(qualified), 우리 제조 공정에 최대한 빠르게 적용하도록 노력하고 있다"고 했다.
엔비디아가 주력으로 생산하는 그래픽처리장치(GPU)는 연산속도가 빨라 주로 인공지능(AI)용 반도체로 쓰이며, GPU에는 고성능 D램 메모리인 HBM이 탑재된다.
지난 5월 24일 로이터통신은 삼성전자가 엔비디아 HBM 납품테스트를 통과하지 못했다고 보도한 바 있다. 이 보도로 시장이 발칵 뒤집히면서 삼성전자 주가는 추락했다.
이에 삼성전자는 이례적으로 입장문을 내고 "보도내용이 사실이 아니다"고 반박했다. 삼성전자는 "현재 다수의 업체와 긴밀하게 협력하며 지속적으로 기술과 성능을 테스트하고 있다"며 "HBM의 품질과 성능을 철저하게 검증하기 위해 다양한 테스트를 수행하고 있다"고 설명했다.
삼성전자의 해명에도 불구하고 삼성 HBM에 대한 의구심이 걷히지 않았다가, 이번에 황 CEO가 직접 테스트 실패설을 부인한 것이다. 이에 관련업계는 테스트가 순조롭게 진행된다면 이르면 올 하반기에 삼성전자는 엔비디아에 HBM3E 12단 공급하게 될 것으로 전망했다.
삼성전자는 지난 4월 HBM3E 8단 제품의 초기 양산을 시작한 데 이어, 2분기 이내에 12단 제품을 양산하겠다는 목표를 밝혔다. 업계 최초로 24Gb(기가비트) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB(기가바이트) HBM3E 12단을 구현하기도 했다.
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