엔비디아의 그래픽처리장치(GPU)에 탑재되는 삼성전자 고대역폭메모리 'HBM4E'의 실물 칩이 드디어 공개됐다.
삼성전자는 16일(현지시간) 미국 새너제이에서 열린 세계 최대 인공지능(AI) 전시회 '엔비디아 GTC 2026'에서 'HBM4E' 실물 칩을 처음으로 공개했다. 이 칩은 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 데이터센터용 플랫폼 '베라 루빈(Vera Rubin)'을 구현하는 메모리 토털 솔루션으로 유일하게 공급된다.
삼성전자는 이번 전시에서 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 △메모리 △로직 설계 △파운드리 △첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 한눈에 볼 수 있는 'HBM4 히어로월(Hero Wall)'을 마련하고, 삼성전자-엔비디아 양사의 AI 플랫폼의 전략적 파트너십을 강조했다.
'HBM4 히어로월'에서 HBM4 실물칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다. 또 HBM4 양산을 통해 축적한 차세대 초미세 D램 공정과 '4나노 기반 칩' 설계 기술을 바탕으로 속도를 내고 있는 차세대 HBM4E 개발 현황도 소개했다. 삼성전자는 "1초당 최대 4테라바이트(TB)에 달하는 데이터를 처리할 수 있는 성능을 목표로 메모리·자체 파운드리·로직 설계·패키징 기술 등 사내 모든 역량을 결집해 차세대 HBM4E를 개발하고 있다"고 강조했다.
또한 삼성전자는 영상을 통해 기존 방식인 TCB(Thermal Compression Bonding)보다 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 차세대 패키징 기술 HCB(Hybrid Copper Bonding)도 공개했다.
TCB은 열과 압력을 이용해 칩과 칩을 접합하는 반도체 패키징 기술로, HBM 적층 구조 구현에 사용되는 대표적인 본딩 방식이며, HCB은 구리(Copper) 접합을 기반으로 칩을 직접 연결하는 차세대 패키징 기술로, 열 저항을 낮추고 고적층 HBM 구현에 유리한 본딩 방식이다.
삼성전자는 전시공간을 △AI 팩토리(AI 데이터센터) △로컬 AI(온디바이스 AI) △피지컬 AI 등 3개의 존으로 구성해 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처(설계)를 소개했다.
특히 삼성전자는 이번 전시를 통해 전세계에서 유일하게 엔비디아의 '베라 루빈' 구현을 위한 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 베라 루빈은 CPU 베라와 GPU 루빈을 통합한 차세대 AI 플랫폼으로, AI 서버 성능을 크게 끌어올릴 것으로 기대되는 엔비디아의 차세대 기술이다.
삼성전자는 양사 협력을 강조하기 위해 별도로 '엔비디아 갤러리'를 구성해 △루빈용 HBM4 △베라용 SOCAMM2 △스토리지 PM1763 등을 전시했다. 전시장에서는 각 구성품의 성능을 직접 체험해볼 수 있도록 성능 시연을 마련했다.
삼성전자는 "이번 전시를 통해 양사 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 것"이라며 "이를 바탕으로 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어가겠다"고 밝혔다.
한편 행사 둘째날인 17일에는 엔비디아의 특별초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시할 예정이다. 이번 전시는 19일(현지시간)까지 이어진다.
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